DRAM是用PN結電容存儲0/1的，由于漏電的存在，時間長了兩級板電位差會消失也就是1會變成0，所以過一段時間需要根據里面的內容補充電荷，這叫刷新。刷新過程中不能讀寫。

SDRAM是DRAM的一種，增加了同步時鐘，提高了讀寫速率。從原理來說現在的DDR3也是SDRAM的一種。不過約定俗成的說法是SDRAM只包含最早的單倍速讀寫SDRAM

SARM存儲數據的單元是D觸發器，這種雙穩態電路的0/1狀態都是穩定的所以不需要刷新，只要有電就能一直存下去。

從存儲密度來說，DRAM/SDRAM每個bit需要一個晶體管，而SRAM最少需要4個，高速SRAM需要6個以上，而且由于晶體管之間的互聯SRAM復雜得多，占了很大的空間，所以同制程的SRAM容量要小的多。

從速度來說，DRAM/SDRAM需要刷新和回寫，極速比不上SRAM。所以CPU的緩存是SRAM，主內存用SDRAM

從省電的角度來說，DRAM/SDRAM要刷新比較費電，而省電設計的SRAM只要一個紐扣電池就可以保存數年之久（比如以前的游戲卡）