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一文看懂ARM里的RAM和SDRAM有什么區別
發布時間：2018-8-15 來源： 關鍵詞：
本文主要介紹的是ARM里的RAM和SDRAM有什么區別，首先介紹了RAM的類別及特點，其次對SDRAM做了詳細闡述，最后介紹了RAM和SDRAM的區別是什么。
RAM介紹
Random-Access Memory（隨機存取存儲器），在計算機的組成結構中，有一個很重要的部分，就是存儲器。存儲器是用來存儲程序和數據的部件，對于計算機來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器［或者內存儲器和外存儲器］，主存儲器簡稱內存，內存在電腦中起著舉足輕重的作用，一般采用半導體存儲單元。因為RAM是內存其中最重要的存儲器，所以通常我們直接稱之為內存。內存就是存儲程序以及數據的地方，比如當我們在使用WPS處理文稿時，當你在鍵盤上敲入字符時，它就被存入內存中，當你選擇存盤時，內存中的數據才會被存入硬（磁）盤。
RAM就是既可以從中讀取數據，也可以寫入數據。當機器電源關閉時，存于其中的數據就會丟失。我們通常購買或升級的內存條就是用作電腦的內存，內存條（SIMM）就是將RAM集成塊集中在一起的一小塊電路板，它插在計算機中的內存插槽上，以減少RAM集成塊占用的空間。目前市場上常見的內存條有 128M／條、256M／條、512M／條等。
RAM的類別
根據存儲單元的工作原理不同， RAM分為靜態RAM和動態RAM。
靜態隨機存儲器（SRAM）
靜態存儲單元是在靜態觸發器的基礎上附加門控管而構成的。因此，它是靠觸發器的自保功能存儲數據的。
動態隨機存儲器（DRAM）
動態RAM的存儲矩陣由動態MOS存儲單元組成。動態MOS存儲單元利用MOS管的柵極電容來存儲信息，但由于柵極電容的容量很小，而漏電流又不可能絕對等于0，所以電荷保存的時間有限。為了避免存儲信息的丟失，必須定時地給電容補充漏掉的電荷。通常把這種操作稱為“刷新”或“再生”，因此DRAM內部要有刷新控制電路，其操作也比靜態RAM復雜。盡管如此，由于DRAM存儲單元的結構能做得非常簡單，所用元件少，功耗低，已成為大容量RAM的主流產品。
RAM的特點
1、隨機存取
所謂“隨機存取”，指的是當存儲器中的數據被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。相對的，讀取或寫入順序訪問（SequenTIal Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系。它主要用來存放操作系統、各種應用程序、數據等。
2、易失性
當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬盤）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以后保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。
3、對靜電敏感
正如其他精細的集成電路，隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。
4、訪問速度
現代的隨機存取存儲器幾乎是所有訪問設備中寫入和讀取速度最快的，存取延遲和其他涉及機械運作的存儲設備相比，也顯得微不足道。
5、需要刷新（再生）
現代的隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電后代表1（二進制），未充電的代表0。由于電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態，然后按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。
SDRAM介紹
SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）同步動態隨機存取存儲器，同步是指Memory工作需要步時鐘，內部的命令的發送與數據的傳輸都以它為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。目前的168線64bit帶寬內存基本上都采用SDRAM芯片，工作電壓3.3V電壓，存取速度高達7.5ns，而EDO內存最快為15ns。并將RAM與CPU以相同時鐘頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間，所以其傳輸速率比EDO DRAM更快。
SDRAM從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.
第一代與第二代SDRAM均采用單端（Single-Ended）時鐘信號，第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時鐘信號作為同步時鐘。
SDR SDRAM的時鐘頻率就是數據存儲的頻率，第一代內存用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘信號為100或133MHz，數據讀寫速率也為100或133MHz。
之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內存則采用數據讀寫速率作為命名標準，并且在前面加上表示其DDR代數的符號，PC-即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz，2700表示帶寬為2.7G。
DDR的讀寫頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2-400到DDR2-800，DDR3從DDR3-800到DDR3-1666。
很多人將SDRAM錯誤的理解為第一代也就是 SDR SDRAM，并且作為名詞解釋，皆屬誤導，SDR不等于SDRAM。
Pin：模組或芯片與外部電路電路連接用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的“金手指”。
SIMM：Sigle In-line Memory Module，單列內存模組。內存模組就是我們常說的內存條，所謂單列是指模組電路板與主板插槽的接口只有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。
DIMM：Double In-line Memory Module，雙列內存模組。是我們常見的模組類型，所謂雙列是指模組電路板與主板插槽的接口有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。
RDIMM：registered DIMM，帶寄存器的雙線內存模塊
SO-DIMM：筆記本常用的內存模組。
工作電壓：
SDR：3.3V
DDR：2.5V
DDR2：1.8V
DDR3：1.5V
ARM里的RAM和SDRAM有什么區別
RAM包括SRAM和DRAM，前者是靜態隨機存儲器，主要是依靠觸發器存儲數據，無需刷新，而后者是動態隨機存儲器，依靠MOSFET中柵電容存儲數據，需不斷刷新以補充釋放的電荷。由于單管就可以實現數據存儲，集成度可以做到更高，功耗也更低，更為主流。需要注意的是由于刷新牽涉電容的充放電過程，DRAM的存取速度不及SRAM。
至于SDRAM，為同步動態隨機存儲器，屬于DRAM的一種，其工作過程需要同步時鐘的配合，因此可以不考慮路線延時不同的影響，避免不定態。普通的DRAM屬于異步傳輸，存取數據時，必須等待若干個時鐘以后才進行操作（考慮不定態），因為會花費較多的時間，影響了數據的傳輸速率。隨著時鐘頻率的不斷增高，這個瓶頸的限制就會越來越明顯，SDRAM的優勢也就更能體現出來。